為了提高聚合物圖像的分辨率，曝光波長越短越好。365nm是最常見的波長，193nm或更短的紫外光也有應(yīng)用。在那些領(lǐng)域里，傳統(tǒng)的光聚合物如萘醌類不能使用，因為聚合物鏈在短波長區(qū)的強吸收?；瘜W(xué)放大抗蝕劑是有效的解決方案，其組成包括基本的聚合物和光酸生成劑。

通過引入化學(xué)放大的概念，滿足了對敏感性的要求。這是基于光化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的酸催化物種，催化了抗蝕膜串聯(lián)化學(xué)轉(zhuǎn)反應(yīng)。這個概念在平版印刷界得到了廣泛的認可，不僅因為它的高靈敏度，而且因為它的高對比度，出乎意料的高分辨率和設(shè)計的多功能性。建立在此概念之上的整個抗蝕劑家族，由于其酸催化脫保護機制來實現(xiàn)極性翻轉(zhuǎn)現(xiàn)象已經(jīng)吸引了極大的關(guān)注，因為它提供了一個設(shè)計水基體系的可能性，替換經(jīng)典的重氮萘醌酚醛體系。

雖然化學(xué)放大光刻膠系統(tǒng)具有許多吸引人的特點，如高靈敏度、高對比度、高分辨率、和通用性，但在這種酸催化的過程，極易受到空氣中普通物質(zhì)的污染。污染導(dǎo)致一系列技術(shù)問題。抗蝕劑的化學(xué)放大抗蝕劑的過程如圖所示。該抗蝕劑溶液涂覆在硅晶片上，進行涂層預(yù)烤。接下來準(zhǔn)分子激光下進行曝光。這個預(yù)烤和曝光之間的時間間隔稱為間歇1.然后曝光的抗蝕劑再通過曝光后烘烤（PEB，或硬化烘烤）。曝光和PEB之間的時間為間歇2.硅晶片在堿溶液（四甲基氫氧化銨）中顯影。